美國TI驅(qū)動(dòng)器DRV835X具有哪些特點(diǎn) |
點(diǎn)擊次數(shù):739 更新時(shí)間:2020-11-12 |
美國TI具有保護(hù),感測或電源管理功能的集成MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。借助集成的FET解決方案,我們的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可提供有效的開關(guān)和電流控制,以大程度地提高單個(gè)芯片的輸出電流能力。智能柵極驅(qū)動(dòng)器集成了無源組件,以減小電路板尺寸,設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本,支持可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)電流,靈活的MOSFET選擇,效率,低EMI和小的電路板空間。 DRV835x美國TI驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品特點(diǎn)如下: 9至100V,三重半橋變頻器驅(qū)動(dòng)器 集成降壓穩(wěn)壓器 美國TI DRV835x系列設(shè)備是用于三相無刷直流(BLDC)電機(jī)應(yīng)用的高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器。這些應(yīng)用包括BLDC電機(jī)的磁場定向控制(FOC),正弦電流控制和梯形電流控制。器件變體提供可選的集成電流分流放大器,以支持不同的電機(jī)控制方案,并提供降壓調(diào)節(jié)器來為柵極驅(qū)動(dòng)器或外部控制器供電。 美國TI DRV835x采用智能柵極驅(qū)動(dòng)(SGD)架構(gòu),以減少M(fèi)OSFET擺率控制和保護(hù)電路通常必需的外部組件數(shù)量。SGD架構(gòu)還優(yōu)化了死區(qū)時(shí)間,以防止直通情況,通過MOSFET壓擺率控制提供降低電磁干擾(EMI)的靈活性,并通過V GS監(jiān)控器防止柵極短路情況。強(qiáng)大的柵極下拉電路有助于防止不必要的dV / dt寄生柵極導(dǎo)通事件 支持各種PWM控制模式(6x,3x,1x和獨(dú)立),以簡化與外部控制器的接口。這些模式可以減少電機(jī)驅(qū)動(dòng)器PWM控制信號(hào)所需的控制器輸出數(shù)量。該器件系列還包括1x PWM模式,可通過使用內(nèi)部塊換向表對(duì)BLDC電機(jī)進(jìn)行簡單的感應(yīng)梯形控制。 上一篇:德國Ege-elektronik液位傳感器安裝說明 下一篇:MVS-3504YCE-07日本TACO雙聯(lián)氣閥使用要求 |